一些炔类化合物硅保护基问题及解决方法

这次总结了炔类化合物脱硅保护基常见的一些问题，并给出相应的解决方法。由于底物的不同，常规的方法有时不能解决我们所遇到的问题，这时就要寻找其它的解决方法。这些方法看起来都很简单，却能实在地解决问题。下面将通过几个例子来对不同方面的问题进行分享。

脱硅保护基时，端炔和相邻官能团发生反应

以上图结构为例:芳环也可为吡啶环；这里的X可为氮，氧或酰胺等，副产物C新形成的环也可为六元环等；硅保护基不限于TMS，也可为其它硅保护基。有时候当炔邻位有含活泼氢的官能团时，在硅保护基脱除时可能会出现副产物C。如何确定可能出现了副产物C:在lcms上出现了两个分子量一样的产物，这时脱保护所用试剂建议用TBAF之类，不能使用碳酸钾+甲醇之类的组合。如何避免副产物的生成？

参考方法:

1:低温操作。TBAF脱保护基，在低温下(负40度左右)进行；该方法可以很大程度抑制副产物的生成。具体问题还需具体分析。

2:反应体系内加入酸。在体系内加入与TBAF等当量的酸，这些酸可为TFA，醋酸等。该方法几乎可以完全抑制副产物的生成，就是反应速率可能变慢。

芳基卤与硅保护乙炔偶联的问题

芳基卤代物与硅乙炔反应时，如果用TMS乙炔且室温反应时，一般不会出现什么问题；如果用TMS乙炔且加热时，有时TMS乙炔要加很多当量才能反应完。其中可能原因有:TMS乙炔易挥发，加热时大部分从体系内跑了；TMS在加热及碱的作用下坏掉了。

参考方法

这时可以使用其它类型的硅乙炔，这些硅乙炔要具有高沸点且碱性相对稳定，例如TIPS乙炔等。这样一般都能解决用TMS乙炔反应不好的问题。

酸脱TMS保护基的问题

TMS保护基既可以用酸或碱脱除，也可以用TBAF脱除，一般不会出现什么问题。当底物结构中含有其它硅保护基时，我们不能用TBAF脱TMS，这时我们只能用酸法或碱法脱TMS。但是有些时候用酸法脱TMS时会出现产物分子量+18的副产物，怀疑有可能生成了副产物c

参考方法

采用碱法来脱TMS保护基，即:甲醇和碳酸钾体系，该反应用粉状的碳酸钾反应速率要比颗粒状的快很多，且碳酸钾当量越多反应越快(在底物不变坏的前提下)。

底物结构中有TMS保护基，需要用酸法脱除其它类型保护基

就以上图反应为例，R-OTrt易在酸性条件下水解，TMS也容易在酸性条件下脱除，如果酸性较强，两个保护基可能会一起脱除。

参考方法

通过比较可知，在酸性条件下Trt应该比TMS更容易脱除，我们在低温下，使用弱一些的酸性体系来选择性脱除Trt。例如cone.HCl与dioxane(THF)体系(V/V=1:10)，在零度下脱除Trt；反应完全后，零度下用饱和碳酸钠aq缓慢地将体系内pH调至中性，然后再进行后续操作。

底物结构中需要引入两个硅乙炔，且都需要对其进行修饰

以上面路线为例，底物结构需要引入两个不同的硅保护基，然后还要对其选择性脱除，接着对端炔进行修饰。

参考方法

两个硅保护乙炔的其中一个一定要选择TMS乙炔，另外一个可以选择碳酸钾/甲醇体系稳定的硅保护基乙炔，如TIPS乙炔等。我们可以通过碳酸钾/甲醇体系选择性的对TMS脱除，然后进行修饰；接着再用TBAF脱去TIPS，然后进行修饰(或不修饰)。

以上每条路线中化合物的结构式都是随意举例，主要是为了说明问题。